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三星電子與輝達合作,加速研發下一代NAND快閃記憶體

2026/3/13 08:05

【財訊快報/陳孟朔】《首爾經濟日報》援引產業人士消息報導,三星電子(005930.KS)正與輝達(Nvidia,美股代碼NVDA)展開合作,加速開發下一代NAND快閃記憶體晶片,旨在透過技術革新大幅提升數據處理效能。

來自三星半導體研究所、輝達以及喬治亞理工學院(Georgia Tech)的聯合研究團隊,已成功開發出「物理信息神經算子」(Physics Informed Neural Operator)模型。該模型專門用於分析鐵電體(Ferroelectric)基NAND設備的性能,分析速度較現有模型大幅提升超過10,000倍。相關研究成果目前已正式公布。

基於這項突破性的研究發現,三星正與輝達針對鐵電NAND的開發與商業化進程展開深度合作。市場人士指出,隨著AI算力需求噴發,高效能存儲設備成為關鍵瓶頸,三星與輝達的強強聯手,預料將加速次世代記憶體技術的落地,鞏固雙方在人工智慧基礎設施領域的領先地位。目前市場高度關注三星是否能藉此技術在AI伺服器供應鏈中取得更高市占率。

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