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韓國記憶體暴利期拉長至2027上半年,中國廠商伺機追趕技術差距

2026/1/27 15:27

【財訊快報/陳孟朔】外電報導,記憶體晶片供需失衡推升報價大漲,帶動三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)與美光(Micron Technology)獲利快速膨脹之際,產業人士反而將這段「暴利期」視為中國存儲企業縮小技術差距的關鍵窗口。若供給吃緊態勢一路延續至2027年上半年甚至更久,龍頭廠的高毛利未必等同於護城河擴張,反而可能成為後進者以市場換經驗、以利潤補研發的黃金時間。

專家指出,當前記憶體類股正處於典型超級週期:DRAM價格在數月內飆升300%至400%,需求端以AI伺服器與雲端運算推升的高頻寬記憶體(HBM)最為強勢;供給端則受限於先進製程、封裝產能與良率爬坡節奏,導致全球出貨難以跟上。市場人士認為,當大廠產能無法完全滿足客戶需求時,買方對「代差」的敏感度下降,供應鏈自然出現替代與分流的機會。

更值得關注的是,中國存儲廠商的追趕速度正在加快。產業消息顯示,當SK海力士在2025年初已大量供應HBM3E之際,長鑫存儲(CXMT)仍以HBM2研發為主,但至2025年年中已傳出推進至HBM3開發的進展。部分業界人士提到,地方政府資金與華為(Huawei)等產業力量介入,讓新技術測試與驗證能在多地同步展開,透過更高頻率的試產與回饋迭代縮短研發週期,並在擴產前先行篩選可行方案。



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