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美光量產與輝達Vera Rubin相關之HBM4，頻寬突破2.8 TB/s

2026/3/17　08:55

【財訊快報／陳孟朔】美國記憶體晶片大廠--美光科技(Micron，美股代碼MU)週一宣布，已正式量產專為輝達(Nvidia，美股代NVDA)次世代Vera Rubin架構設計的高頻寬記憶體HBM4，同時推出PCIe Gen6 SSD與LPCAMM2(SOCAMM2)等尖端儲存解決方案，標誌著AI存儲技術進入全新里程碑。

在最受市場關注的HBM4方面，美光36GB 12H版本已進入大規模量產階段。該產品頻寬突破2.8 TB/s，且能效較前代提升20%，是專為NVIDIA Vera Rubin量身打造的核心組件。此外，美光也展示其領先的16層堆疊封裝實力，並已向客戶發送HBM4 48GB 16H樣品；這項進展使單個HBM插槽容量較12層版本顯著提升33%，為未來超大規模AI模型與算力需求提供更強大的記憶體密度支持。

除了HBM4，美光同時推出業界首款PCIe Gen6 SSD，專為應對生成式AI工作負載對極速數據傳輸的需求。這與其針對終端設備優化的LPCAMM2技術相結合，展現出美光從數據中心到終端消費市場的全方位佈局。

市場人士指出，隨著美光搶先量產與Vera Rubin架構高度協同的HBM4，其在AI存儲領域的競爭優勢將進一步鞏固。這項技術突破不僅強化美光在2026財年的營收成長預期，更與輝達共同定義吉瓦(GW)級AI工廠的硬體標準。隨著HBM4產能持續擴張，美光有望在AI算力競賽中成為最關鍵的受惠者之一。

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