德國慕尼黑2025年12月3日 /美通社/ -- 美國國際貿易委員會（ITC）裁定英諾賽科侵犯了英飛凌擁有的一項氮化鎵（GaN）技術專利。此外，在此初步判決中，美國國際貿易委員會也確認了英飛凌在本案訴訟中主張的兩項專利均具法律效力。本案的核心在於英諾賽科未經授權使用英飛凌的氮化鎵專利技術。委員會最終裁決預計將於2026年4月2日發布。若這項初步裁決最終獲得確認，將導致英諾賽科涉嫌侵權的產品被禁止進口至美國。
英飛凌資深副總裁暨氮化鎵業務線負責人Johannes Schoiswohl表示：「這一裁決再次印證了英飛凌智慧財產權的強大實力，同時也彰顯了我們堅決捍衛專利組合、維護市場公平競爭的決心。我們將持續致力於推動創新與推進半導體技術發展，以應對全球最緊迫的挑戰，推動從低碳化到數位化的轉型。」
此項裁決是又一次具有正面意義的結果，彰顯了英飛凌對氮化鎵（GaN）技術所作出的重要貢獻。在德國的另一項並行的相關訴訟中，德國專利局近期確認了英飛凌一項專利的有效性，並以略作修正的形式維持該專利。英飛凌正在慕尼黑地方法院對該專利提出侵權訴訟。早在2025年8月，慕尼黑第一地方法院（Landgericht München I）已裁定英諾賽科侵犯了英飛凌另一項專利。
英飛凌在氮化鎵市場是領先垂直整合製造商（IDM），擁有業內最廣泛的智慧財產權組合，涵蓋約450個氮化鎵專利家族。氮化鎵在實現高性能、高能效的電源系統中發揮著關鍵作用，其應用範圍覆蓋再生能源系統、人工智慧資料中心、工業自動化以及電動車（EV）等領域。憑藉更高的功率密度、更快的開關速度以及更低的能耗，氮化鎵半導體能支援更緊湊的設計，有效降低能耗和減少熱量產生。作為電源系統的領導者，英飛凌在矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）這三種關鍵半導體材料領域都處於產業領先地位，並持續推動技術進步。
