【財訊快報／記者張家瑋報導】隨著氮化鎵（GaN）半導體需求的持續成長，半導體大廠英飛凌（Infineon）12吋GaN晶圓製造進展順利，首批樣品將於2025年第四季提供予客戶，藉以擴大客戶群，鞏固其GaN市場領先地位。

雖然日前台積電宣布將在2年內逐步退出GaN晶圓代工業務，並將相關訂單轉移給力積電，市場解讀主要基於公司長期策略的考量，同時也反映GaN市場的競爭日益激烈，尤其是來自中國廠商的低價策略，以及GaN業務對台積電整體營收的貢獻有限。

但與此同時，化合物半導體大廠納微（Navitas）也宣布攜手力積電，啟動8英吋GaN晶圓量產計劃，將在力積電竹南廠生產納微的GaN元件。顯然GaN技術所具備小型化、高效率、低功耗、低成本特性，仍為科技業所重視，在AI資料中心、電動車與太陽能市場滲透率逐漸攀升，像是納微GaN已成功支援輝達（NVIDIA）800V HVDC架構，應用於1兆瓦以上IT機櫃。

英飛凌表示，憑藉其技術領先地位，英飛凌已成為首家在其現有量產基礎設施內成功開發12吋GaN功率晶圓技術的半導體製造商。與現有8吋晶圓相比，12吋晶圓的晶片生產在技術上更加先進，效率也顯著提升，因為更大的晶圓直徑使每片晶圓的晶片產量提高了2.3倍。