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三星電子重返AI記憶體巔峰，全球首款HBM4 2月量產供貨輝達

2026/2/9　07:28

【財訊快報／陳孟朔】根據韓國產業消息指出，三星電子(Samsung Electronics，005930.KS)已決定在農曆春節假期結束後，最快於2月第三週(約2月16日起)正式啟動第六代高頻寬記憶體(HBM4)的量產與出貨。此舉標誌著三星在全球首次實現HBM4商業化，其首位核心客戶正是AI晶片龍頭輝達(Nvidia)，這也象徵三星在先前HBM3E競賽失利後，成功在次世代技術上實現「大反攻」。

三星HBM4在性能規格上展現顯著的技術突破。透過結合三星自家的「1c」製程(第六代10奈米級DRAM)與4奈米晶圓代工邏輯底層晶片(Base Die)，其資料傳輸速度高達11.7Gbps。這不僅比JEDEC國際標準規定的8Gbps提升了約46%，也比上一代HBM3E(約9.6Gbps)快上22%。此外，三星強調該晶片具備極佳的電源效率，能顯著降低AI資料中心的營運與冷卻成本。

這批首產的HBM4將直接供應給輝達下一代AI運算平台「Vera Rubin」。市場預期，輝達執行長黃仁勳將於3月16日至19日在聖荷西舉行的GTC2026年度開發者大會上，首度公開展示搭載三星HBM4的Vera Rubin加速器。相較於目前的Blackwell架構，搭載HBM4的新平台預計將提供更高的記憶體容量與頻寬，以支應日益龐大的大型語言模型(LLM)訓練需求。

為了確保供貨領先地位，三星已計劃在平澤4號廠(P4)增設專屬生產線，預計將HBM產能提升兩倍以上。雖然目前市場預估競爭對手SK海力士(SK hynix)憑藉穩定的良率可能占據HBM4約70%的市占率，但三星透過「全球首發量產」的先發優勢，已成功搶占VeraRubin平台約30%的訂單份額。分析師認為，隨著HBM4正式進入量產週期，三星有望重新奪回AI記憶體市場的技術主導權。

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三星電子重返AI記憶體巔峰，全球首款HBM4 2月量產供貨輝達