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高盛調查，DRAM現貨價大幅溢出合約價，合約價補漲壓力逼近

2026/1/26　07:26

【財訊快報／陳孟朔】存儲晶片市況再度升溫，華爾街投行一哥—高盛引述最新渠道調查顯示，DRAM現貨價格相對合約價出現罕見巨額溢價，市場人士認為「剪刀差」若持續擴大，最終多半將以合約價大幅補漲的方式收斂，並可能把2026年首季傳統DRAM報價推向更激進的上行路徑。

調查指出，自2026年初以來DDR5現貨報價重新轉強，較12月合約價溢價約76%；DDR4的溢價幅度更達172%。交易員認為，當現貨長時間大幅領先合約，往往意味下游在議價上籌碼快速流失，合約端被迫追價的機率顯著提高，尤其在供給調節與需求擴張同時發生的環境下更為明顯。

需求面方面，AI伺服器拉貨動能仍強，機架級AI伺服器出貨推升台灣伺服器ODM廠月度營收表現，12月年增約94%，並已連續13個月維持50%以上年增幅。供應鏈人士指出，這種長時間高增長通常伴隨更高的DRAM與NAND採購強度，對報價形成直接支撐。

價格擴散效應也反映在二線與區域供應商數據上。台灣DRAM廠南亞科( 2408 )12月營收年增達445%，且已連續5個月維持三位數年增、增速逐月走高，市場普遍解讀為DDR4價格上行帶來的放大效應；同時，韓國DRAM出口在12月亦出現高達72%年增幅，顯示需求熱度與供應吃緊並存。

與此同時，部分客戶已開始接受2026年第一季更高幅度的新報價，且不論DRAM或NAND，新的漲幅水準普遍高於2025年第四季協議。市場人士表示，若現貨溢價維持在高檔區間，合約價上修與供應鏈獲利預期再上調的空間仍在，三星電子與SK海力士等主要供應商的產品組合與HBM出貨節奏，將成為下一階段觀察焦點。

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高盛調查，DRAM現貨價大幅溢出合約價，合約價補漲壓力逼近