【財訊快報／陳孟朔】外電報導，瑞銀發表最新產業報告示警，生成式AI帶動高效能記憶體需求飆升，正把全球DRAM供應結構推向AI伺服器所需的HBM，車用等級DRAM面臨「漲價與短缺」雙重擠壓，供應鏈擾動風險可能自2026年第二季開始浮現，並在2026至2027年技術切換期放大為成本與交期的系統性挑戰。

市場人士指出，這波壓力核心在於晶圓資源再分配與利潤極大化的誘因。當三大DRAM供應商將產能與資本開支重心轉向HBM等高毛利產品，傳統DDR供給彈性被壓縮，價格傳導迅速。產業研究亦顯示，AI相關高頻寬記憶體若以「等效晶圓消耗」估算，至2026年可能占用接近全球DRAM供給的兩成，進一步推升緊張度；同時，研調機構預期2026年第一季DRAM合約價季增幅度可達約55%至60%，顯示上游報價動能仍在。

報告以零組件與整車端的成本吸收能力為主軸，指出單車DRAM含量約落在25至150美元區間，當價格急漲且難以完全轉嫁，供應商獲利槓桿會快速惡化。基準情境假設DRAM漲幅約120%、整車廠可回收約80%成本，零組件供應商2026年EBIT可能下滑約5%至6%；極端情境若漲幅擴大至200%、回收比例降至50%，EBIT下滑幅度可能放大至24%。電子與ADAS占比高、以及採集中式計算架構導入更深的供應鏈環節，被視為風險暴露度更高的族群。