【財訊快報／記者李純君報導】客製化記憶體解決方案供應商愛普*( 6531 )宣布，S-SiCap（Stack Silicon Capacitor）產品線持續深化技術佈局，共有分離式矽電容（Discrete Devices）與矽電容中介層IPC（InterPoser with silicon Capacitor）兩大類型產線，前者送樣中2026年量產，後者第三季末已有四個reticle量產。

愛普*的分離式矽電容S-SiCap Gen4電容值密度已提升至3.8 μF/平方公釐，較前一代Gen3再增逾50%，且Gen4亦導入嵌入式基板（Embedded Substrate）封裝，目前已送樣進行製程驗證，量產導入時程將自2026年起逐步展開。

另一方面，矽電容中介層S-SiCap Interposer採用矽晶圓作為中介層基板，內建高電容密度的矽電容，顯著強化裸晶對裸晶（Die-to-Die）、序列器／解序列器（SerDes）及高頻寬記憶體（HBM）等高速I/O應用的訊號與電源穩定性。

愛普*並攜手供應鏈合作，導入接合曝光技術(reticle-stitching technology)，擴展中介層裸晶面積，進而承載更多Chiplet IC，滿足先進封裝對更高整合度的需求。目前S-SiCap Interposer已完成客戶端的封裝與可靠度驗證，並於第三季末正式進入四個reticle的量產階段，新專案亦陸續展開。

愛普*總經理洪志勳表示，隨著AI與高效能運算應用快速成長，市場對電源完整性與高速訊號傳輸的要求日益嚴苛。愛普透過S-SiCap產品線，將矽電容以分離式及中介層方式整合於各類先進封裝架構，兼具高效能、高整合度與設計彈性，滿足新世代AI與HPC系統的需求。展望未來，愛普也正積極開發能應用在有機中介層（Organic Interposer）的矽電容產品。