【財訊快報／記者張家瑋報導】氮化鎵（GaN）應用逐漸擴散，美國太陽能系統暨儲能解決方案大廠Enphase Energy宣布新一代太陽能微型逆變器將採用英飛凌（Infineon）的氮化鎵技術。英飛凌表示，採用CoolGaN BDS（雙向開關）技術將顯著提升功率輸出、能源效率和系統可靠性，有助於簡化設計複雜性，並降低安裝成本和系統平衡成本。

英飛凌掌握了矽（Si）、碳化矽（SiC）和GaN等相關材料技術，2024年發布超過40款GaN產品，該公司正按計劃進一步將GaN生產製程推進到12吋晶圓，大幅提高產能並加快高品質GaN產品的交付速度。

英飛凌指出，透過BDS技術可顯著降低成本，同時也能設計出更小、更有效率的功率元件。BDS技術已證明其能顯著降低功率損耗，性能比傳統矽開關高出68%，比GaN單向開關高出42%。GaN的BDS技術會是眾多應用領域的關鍵組件，包括再生能源（太陽能、風能）、儲能係統（ESS）、電動車（EV）馬達驅動、車載充電器和人工智慧伺服器，其應用都能從更高的效率、密度和可靠性中受益。

2024年全球太陽能光電發電量約佔全球總發電量的7%，預計2024至2030年間，全球新增再生能源裝置容量將超過5,500 GW，幾乎是2017至2023年增幅的三倍。根據國際能源總署（IEA）預測，到2030年，太陽能光電發電將佔全球再生能源新增裝置容量的80%。