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聯電推55奈米BCD平台,搶下世代行動裝置等三應用電源管理系統商機

【財訊快報/記者李純君報導】晶圓代工大廠聯電( 2303 )推出全新的55奈米BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)平台,瞄準下世代行動裝置、消費性電子、車用與工業應用實現更高的電源效率與系統整合。此平台針對電子產品日益複雜的電源管理需求而設計。
BCD技術能在單一晶片上整合類比、數位與電力元件,廣泛應用於電源管理與混合訊號IC。聯電全新的55奈米BCD平台提供多元化電源IC應用的解決方案,以滿足不同應用領域對效能與可靠度的需求。
聯電提到,此製程整合了包括非磊晶(Non-EPI)製程、磊晶(EPI)製程、絕緣層上覆矽(SOI)製程,平台同時整合了超厚金屬層(UTM)、嵌入式快閃記憶體(eFlash)與電阻式隨機存取記憶體(RRAM)等技術。
聯電技術研發副總徐世杰表示:「55奈米BCD平台的推出,象徵聯電在BCD技術佈局上的重要里程碑,更進一步完善我們的特殊製程產品組合,強化在電源管理市場的競爭優勢。雖然55奈米BCD製程已在市場上量產多年,聯電推出全新且全面的55奈米BCD解決方案,應用範圍涵蓋智慧型手機、穿戴式裝置、車用、智慧家庭與智慧工廠等領域。」
聯電已建構業界最完整且成熟的BCD技術組合,製程節點橫跨0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.11微米乃至55奈米,提供具差異化的解決方案,豐富的IP資源與完善的設計支援,加速客戶產品開發時程,強化在智慧電源與混合訊號市場的競爭力。
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