【財訊快報／記者李純君報導】IP供應商円星科技（M31）( 6643 )今日於2025台積電( 2330 )北美開放創新平台（OIP）生態系論壇宣布，延續先前在台積電N12e製程上成功驗證的低功耗IP解決方案，M31進一步擴展至N6e平台，推出全新超低漏電（ULL）、極低漏電（ELL）以及低電壓操作（Low-VDD）記憶體編譯器，受此利多加持，M31股價早盤小漲。

M31提到，基於台積電N6e先進製程開發的這系列記憶體編譯器，專為AI邊緣運算與物聯網（IoT）裝置打造，進行極致低功耗最佳化設計，並提供採用LL、ULL與ELL SRAM bit cells的客製化解決方案，協助智慧家庭、穿戴式裝置等應用在效能與功耗之間取得最佳平衡。其中，N6e製程ULL記憶體編譯器具備高密度、高效能的SRAM與One Port Register File，並支援備援（Redundancy）、電源閘控（Power Gating）、掃描測試（Scan）、內建自我測試（BIST）MUX以及寬頻範圍Dual-rail，能實現動態電壓與頻率調整（DVFS），並採用High Sigma設計方法，確保在嚴苛邊界條件下依然穩健運作。

ELL記憶體編譯器則進一步提升功耗效率，在深度睡眠模式（Deep Sleep Mode）下可降低高達50%功耗，滿足對能效與晶片面積要求嚴苛的設計需求，同時兼顧速度與彈性。此外，低電壓（Low-VDD）記憶體編譯器可在僅0.5V的操作電壓下運行，大幅降低動態與漏電功耗。透過ULL、ELL與Low-VDD三大產品組合，M31為N6e平台提供完整且高彈性的設計支持。

M31總經理張原熏表示：「M31與台積電長期合作，從N12e低功耗解決方案到最新的N6e ULL、ELL及Low-VDD記憶體編譯器，展望未來，我們期待與台積電及OIP生態系夥伴深化合作，共同推動AI驅動技術的持續發展。」

同時，M31再度榮獲2025年台積電OIP年度合作夥伴特殊製程IP獎，這是M31連續第八年獲得此殊榮。