【財訊快報／研究員吳旻蓁】摩根士丹利最新報告指出，高頻寬記憶體（HBM）市場正進入新一波競爭潮，且製程逐步轉向先進技術，整體DRAM因AI需求推升高效能記憶體市場而成長。在此趨勢下，點名華邦電( 2344 )，認為其DRAM與SLC NAND具較強定價能力，在HBM未來趨勢尚不明朗的情況下更具競爭優勢，看好其45奈米NOR營收持續成長，SLC NAND則預期於今年下半年持續漲價；24奈米SLC NAND製程已開始初期出貨，並將在明年貢獻業績。

今年第二季，華邦電記憶體產能利用率提升至約90%，預估今年記憶體資本支出約48億元，其中70%投入前段製程設備，並同步擴張Flash產能及CMS製程升級，目前高雄廠月產能已達1.5萬片晶圓。此外，因國際大廠紛將產能轉向AI相關的HBM，帶動DDR4價格上漲，加上近來傳出NOR Flash受材料及封測成本提高等因素影響，第4季在報價也將調漲，預期華邦電將是受惠廠商之一。

股價今出量上攻，突破前波高點，目前短期均線呈多頭排列，日KD持續走高，短線下檔可以短期均線做指標。