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內需+關稅雙軌,美軍用晶片大躍進,諾斯洛普目標2030產能翻四倍

【財訊快報/陳孟朔】美國國防科企諾斯洛普格魯曼(Northrop Grumman,美股代碼NOC)計劃到2030年大幅擴充微電子(半導體)產能。外電報導,Northrop Grumman目標為「到2030年把晶片生產與交付量提升至三倍」;另有媒體報導目標更上調為「四倍」,擴產重心落在馬里蘭州林西科姆海茲(Linthicum Heights)的先進技術實驗室(ATL),並同步強化先進封裝能力,以縮小體積、提高效能,滿足美軍與政府對關鍵晶片的在地供應需求。
政策面上,美國總統川普近日拋出對「外製半導體徵收100%關稅、在美製造者免稅」的主張,以加速供應鏈回流與投資落地;相關構想已引發各產業協會與貿易夥伴高度關注。擴產訊息與關稅倡議相互呼應,顯示華府有意以「內需拉動+外部關稅」的雙軌,推動本土晶片產能擴張。
產業層面,美國半導體協會(SIA)先前預估,在CHIPS法案帶動下,美國半導體產能到2032年有望「較現況翻三倍」,而國防級微電子(如GaN射頻與高可靠度製程)被視為在地化的優先領域。諾斯洛普多年深耕軍用微電子,包含GaN射頻(RF)與AESA雷達用關鍵元件,並對外開放MPW(多專案晶圓)等資源,擴大美國本土供應能量。
市場解讀,此番擴產可望:一、強化美軍關鍵裝備的供應安全,降低對海外關鍵材料與晶圓代工的依賴;二、搭準先進封裝與高頻高功率元件(如GaN)需求成長;三、在關稅與補助雙重槓桿下,吸引更多民用—軍用(Dual-use)訂單與投資。但同時也面臨三項風險:一、人才與工序(含先進封裝)在地化的速度與成本;二、關鍵原料(如鎵、氮化鎵外延材料)供應彈性;三、國際關稅摩擦的連鎖成本傳導,恐短期推高終端價格。
整體而言,諾斯洛普把產能擴至「三倍—四倍」的路線,與華府打造本土半導體生態的方向一致。後續觀察重點包括:最終擴產目標(3x或4x)的官方定版、ATL與其他美國據點的擴建節奏、以及政府在先進封裝、關鍵材料與採購長約上的支援力度,這些都將決定美國軍民兩用晶片供應鏈在未來五年的韌性與成本曲線。
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