【財訊快報／記者李純君報導】力積電( 6770 )發展第三代半導體傳捷報，將替Navitas（Navitas Semiconductor，納斯達克股票代碼：NVTS）代工生產GaN，以力積電竹南8B廠進行生產，預計在今年第四季完成認證，100V系列預計將於2026年上半年投產。

Navitas今日宣布和力積電建立電力化功率合作夥伴關係，由力積電以八吋廠替其代工生產GaN晶片。Navitas寬頻隙技術平台高級副總裁Sid Sundaresan表示，採用180奈米八吋廠CMOS製程，生產氮化鎵，將能使Navitas繼續創新更高功率密度、更快、更高效的設備，同時改善成本、規模和製造產量。

力積電預計替Navitas代工生產電壓為100V至650V的GaN產品組合，此類電壓範疇內的晶片，可用於AI資料中心和電動車，而首批設備產線預計將於2025年第四季完成認證。100V系列預計將於2026年上半年投產，至於650V系列的設備，則將在未來12-24個月內從Navitas的現有供應商台積電（TSMC）搬移到力積電。

Navitas近期在AI資料中心、電動車和太陽能等領域釋出多項訊息，包括與NVIDIA合作，為1MW及以上IT機架的800V高壓直流（HVDC）架構提供GaN和SiC技術支援。此外，Enphase宣布其下一代IQ9將採用Navitas的650 V雙向GaNFast IC，長安汽車也宣布首款採用Navitas GaNSafe技術的商用GaN基OBC（車載充電器）將問世。

Navitas執行長Gene Sheridan表示，很榮幸能與力積電，共同推進八吋氮化鎵 (GaN-on-Si) 的量產，並期待在未來持續推動創新。「力積電多年來一直與納微電子在矽基氮化鎵 (GaN-on-Si) 技術方面合作，我們很高興地宣布，產品認證已接近完成，即將進入量產階段。」力積電總經理朱憲國表示。