【財訊快報／記者張家瑋報導】MOSFET廠力士( 4923 )今日重訊公告，美東時間10日德州東區聯邦法院簽署最終判決，認定華碩侵權行為屬於惡意侵權，判賠金額應一次性支付力士作為權利金，並判決所有獲判金額給予判決前利息，利息按5年期美國國庫券利率，按季複利計息計算。

本次智慧財產權官司是於今年2月14日由美國德州東區聯邦法院陪審團裁決力士針對華碩提起之專利侵權訴訟勝訴，應賠償力士1,050萬美元（合約新台幣3.4億元）。

力士表示，本次遭侵權之美國專利號為US 7,629,634（634專利）及US 7,812,409（409專利），總計有7項MOSFET產品料件侵犯力士專利，依據美國聯邦民事訴訟規則，力士為本案勝訴方，有權申請訴訟費用，公司律師將依法院要求提出費用清單及其他文件，維護公司權益最大化。

該公司強調，判決勝訴結果為力士長期穩定且高度重視專利權，公司擁有高達近百項MOSFET美國專利，且因自有專利生產技術之優異成效，以及近年來主要客戶日益重視專利與智慧財產權議題，帶動ETR、RTG自有專利生產產品出貨比重連年攀升，2025年第一季維持在三成左右。