【財訊快報／記者李純君報導】環球晶圓( 6488 )董座徐秀蘭揭露自家在第三代半導體產業上的策略與佈局，首先，在氮化鎵（GaN）部分，已規劃於2026年底啟動新一波擴產。再就SiC部分，首要重點會放在開發具備高熱傳導係數（High Thermal Conductivity）的12吋SiC晶圓。

環球晶圓本身除了是矽晶圓的全球一線供應商外，也已經在第三類半導體領域著墨甚深，董座徐秀蘭在近日更針對GaN與SiC兩大業務，揭露自家的佈局方向與產能規劃。

首先在GaN部分，徐秀蘭點出，相關技術需求出現爆發性成長，導因於AI產業對電源元件的大量採用，而環球晶的GaN產線，在2025年稼動率全滿，產能更被客戶預訂一空。

環球晶圓也看好GaN的產業前景，在2025年規劃擴產三成，新產能將會在2026年2月產出，但這些預計要擴充的產能也都已經被客戶訂光了，加以瞄準AI基礎設施供應鏈，環球晶圓確定了，會在2026年底啟動新一輪的GaN擴產。

至於SiC矽晶圓部分，徐秀蘭坦言，這個產業主要是被中國市場的價格戰給連累，標準型SiC更在半年內跌價六到七成，看到此一市場變化，遂確定新的營運策略，即不再以標準功率為目標，改轉向具備高熱傳導係數（High Thermal Conductivity）的12吋SiC晶圓，並在2025年第四季送樣，目前客戶端還在驗證。