【財訊快報／記者張家瑋報導】富采( 3714 )宣布與德國ALLOS Semiconductors策略合作，雙方將攜手推動8吋矽基氮化鎵LED磊晶片（GaN-on-Si LED epitaxial wafer）量產，加速Micro LED於AR等更多高整合之顯示器應用的發展。富采表示，富采具備高階LED磊晶製造技術與產能，而ALLOS則有矽基氮化鎵磊晶頂尖技術，這項合作象徵Micro LED產業供應鏈邁向更加成熟的重要里程碑。

富采與ALLOS攜手開發GaN-on-Si LED磊晶片，結合富采在LED結構上的技術與ALLOS矽基氮化鎵緩衝結構技術，不僅亮度與能效可媲美傳統藍寶石基板成長的氮化鎵LED（GaN-on-sapphire），更透過磊晶片尺寸擴大至8吋以上，大幅提升單片產出面積與製程效率。此外，其超小像素間距可滿足近眼顯示的高解析需求，並具備高度矽晶圓製程相容性與量產可行性。

富采光電元件事業本部總經理唐修穆指出，這項合作將提供具高度競爭力的矽基氮化鎵Micro LED解決方案，並建立可擴展、與矽晶圓廠製程高度相容的量產途徑。藉由與ALLOS攜手，雙方得以同步布局8吋矽基氮化鎵Micro LED磊晶技術，為快速成長的Micro LED產業提供更完整的價值鏈與解決方案。

ALLOS共同創辦人暨執行長Burkhard Slischka則表示，雙方強強聯手，將為客戶提供高品質、具擴展性的磊晶片供應。策略合作將提供業界包括最高的LED 效率與卓越的Micro LED磊晶製程及晶片對接製程的良率。

此外，該項合作也將為邁向12吋矽基氮化鎵LED磊晶技術鋪路，以因應市場對更大尺寸晶圓的需求、加速Micro LED普及化。