【財訊快報／記者張家瑋報導】強強聯手再添一樁，半導體大廠安森美（Onsemi）與英諾賽科（Innoscience）簽署合作備忘錄，將運用英諾賽科成熟8吋矽基氮化鎵（GaN-on-silicon）製程擴大氮化鎵（GaN）功率元件的生產規模，目標是瞄準預計到2030年氮化鎵功率元件潛在29億美元的市場商機。

根據協議，雙方將合作提升全球氮化鎵元件生產製造規模，加速產品市場化進程。安森美指出，現階段中低壓領域的氮化鎵應用受成本與供應限制，此次合作可借助英諾賽科於業內最大氮化鎵產能，快速擴展全球客戶解決方案。該合作案將擴大安森美在低壓和中壓氮化鎵功率產品組合，初期先從40至200V功率範圍入手。

未來安森美與英諾賽科將鎖定機械人、汽車電子、通訊設備及AI數據中心等四大應用市場。根據研調機構預測，至2030年，氮化鎵將佔據全球功率半導體市場約29億美元的份額，2024年至2030年的複合年增長率預計為42%。

安森美強調，氮化鎵技術在提升能源效率方面具戰略意義，特別是在電動車充電系統與伺服器電源管理等關鍵領域。此次與英諾賽科的合作將進一步拓展安森美全面的智慧電源產品組合，該產品組合目前涵蓋矽、碳化矽（SiC）和氮化鎵技術。