【財訊快報／記者張家瑋報導】全球氮化鎵大廠英諾賽科（Innoscience）宣布推出低壓氮化鎵（GaN）電機驅動方案。英諾賽科表示，由於GaN具備高效率、高功率密度及體積小等特性，因此，非常適合應用機器人、無人機、低壓大功率伺服驅動等場域。

GaN應用逐步擴散，從5G、太陽能、儲能到AI伺服器、新能源車，更進一步擴展到機器人、無人機、低壓大功率伺服驅動等領域。根據資策會（MIC）預估化合物半導體在全球功率元件市場產值將從2021年的8億美元，快速增長到2030年171億美元，年複合成長率39.8%，其GaN功率元件於中低電壓在資訊產品市場的需求呈現高速成長，高電壓則有待車用充電市場發展。

英諾賽科表示，在機器人、無人機、低壓大功率伺服驅動等應用場景中，高效率、高功率密度的電機驅動方案一直是行業追求的焦點。面對日益增長的低壓大功率電機驅動需求，傳統矽基器件在開關頻率、導通損耗和溫升方面逐漸觸及瓶頸。

另外，英諾賽科與英飛淩（Infineon）專利權之爭出爐，中國國家智慧財產權局最新審查決定，英諾賽科獲得關於兩項核心GaN專利有效性的勝利結果，駁回英飛淩提出的無效請求，英飛淩在此案上徹底敗訴。