【財訊快報／記者張家瑋報導】化合物半導體大廠納微（Navitas）宣布在先進中高壓（800 VDC）氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）功率元件研發上取得重要進展，將協助輝達（NVIDIA）打造針對下一代AI工廠運算平台的800 VDC電源架構。

納微總裁暨執行長Chris Allexandre表示，在輝達推動AI基礎設施轉型的過程中，可運用納微的GaN與SiC方案，協助其實現效率、可擴充性與可靠度的提升，以滿足下一代資料中心的需求。隨著產業快速邁向兆瓦級AI運算平台，對更高效、可擴充且更可靠的電力輸送需求日趨關鍵。

他進一步補充，納微正經歷根本性轉型，透過GaN與SiC技術的融合，為全球最先進的系統提供支援。如今納微關注領域已遠超消費電子，延伸至從電網到GPU的全鏈路環節，透過差異化的高性能電源方案，滿足AI工廠、智慧能源基礎設施及工業平台的兆瓦級需求。

依賴54V機櫃內配電架構的傳統企業級與雲端資料中心，已無法滿足現今高速運算平台所需的兆瓦級機櫃功率密度需求。納微表示， 800 VDC架構支援在資料中心電力機房或週邊區域，將13.8kVAC的市電直接轉換為800 VDC。透過採用固態變壓器與工業級整流器，此方案可省去傳統AC/DC及DC/DC的多階轉換，最大限度提升能效、降低損耗，並提升整體系統的可靠度。

800 VDC配電系統直接為IT機房內的伺服器機櫃供電，省去了額外的傳統AC-DC轉換階段。電力接著透過兩階段高效DC-DC轉換，從800 VDC降至54V/12 VDC，再轉換為GPU所需電壓，驅動輝達Rubin Ultra平台等先進基礎設施。而這類先進的AI工廠對功率密度、能效及可擴充性提出了前所未有的需求，納微高性能GaNFast氮化鎵與GeneSiC碳化矽技術，恰好能滿足這些需求。