【財訊快報／記者張家瑋報導】碳化矽（SiC）長晶廠格棋將於SEMICON Taiwan 2025展出最新的大尺寸SiC材料解決方案，聚焦晶體缺陷密度與結構完整性的突破，包括原始粉體、8吋導電與半絕緣晶棒與晶圓，展現其從原料到晶圓的垂直整合能力。

隨著電動車、高頻通訊與衛星應用的擴張，8吋SiC晶圓成為新一代功率元件的材料核心。格棋表示，此次展出的五項實體成果，涵蓋高純度粉體、8吋半絕緣與導電型晶棒及晶圓，展現格棋可從原料端控制碳矽比例與熱流均勻性，進而降低晶體內部壓力與多晶型生成率。不論是用於雷達與微波通訊的高頻元件，或車用主驅動模組與能源逆變器，格棋均能提供可驗證、可交付的材料方案，協助客戶更快進入新產品認證流程。

格棋目前已完成8吋SiC晶棒與晶圓的製程實證，透過整合日本與台灣長晶模組技術，建立了一套高重現性製程平台，包含種晶端純化處理、粉體雜質控制、碳包覆抑制技術與熱場模擬，確保晶體成長過程中的結構穩定性與應力釋放曲線。在8吋導電型晶圓的成長穩定性已逐步接近試量產標準，將可支援車用功率模組、工業電源與儲能系統的高壓高流需求。另一方面，8吋半絕緣型晶圓則聚焦於雷達、射頻與航太通訊等具備訊號精度與散熱挑戰的高端應用場景。

另外，針對SiC晶體缺陷控制部分，格棋針對常見的微管（Micropipe）、堆疊錯位（SF）、基底位錯（BPD）等問題，已建構出一套跨越熱場設計、碳比控制、雜質抑制到結晶動態調控的製程策略，有效將缺陷密度壓低至每平方公分10 個以下，大幅提升晶圓可用率與客戶加工良率。