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紐倫堡PCIM 2025登場,納微大秀GaN與SiC研發技術實力

2025/4/25 15:42

【財訊快報/記者張家瑋報導】德國紐倫堡舉辦的PCIM 2025即將於5月登場,化合物半導體大廠納微(Navitas)今年大秀氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)研發技術實力,展示化合物半導體於AI資料中心、電動汽車、電機馬達和工業領域的應用新進展,而專為電機馬達打造的GaNSense功率晶片以及全新的高可靠性SiCPAK功率模組也將全面亮相。

納微此次將展出全球首款量產級650V雙向GaNFast氮化鎵功率晶片和高速隔離型IsoFast門極驅動器,打造電力電子的全新規範,目標應用市場包括電動汽車充電(車載充電機OBC和充電樁),太陽能逆變器,儲能和電機馬達。

納微表示,符合車規的高功率GaNSafe氮化鎵功率晶片,均已通過AEC-Q100和AEC-Q101認證,可為車載充電機(OBC)和高壓轉低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效率表現。而全新的SiCPAK功率模組,採用獨家的溝槽輔助平面柵碳化矽MOSFET技術,使得熱阻變化量降低五倍,目標市場包括電動汽車直流快充(DCFC)、工業電機驅動、不斷電供應系統(UPS)、光伏逆變器與功率優化器、儲能系統(ESS)、工業焊接及感應加熱。

專為電機馬達打造的GaNSense氮化鎵功率晶片,與任何分立氮化鎵或分立矽器件所能達到的性能相比,進一步提升了性能和穩定性。另外,納微也展示全球首款8.5kW AI資料中心伺服器電源,效率達98%,該方案採用大功率GaNSafe氮化鎵功率晶片和第三代快速碳化矽MOSFET。

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