- GaN快充即將取而代之？ 蘋果五Ｗ充電頭確定將走入歷史
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蘋果５Ｇ新機呼之欲出，新一代iPhone除了確定將以既有結構光３Ｄ感測技術，搭配後置時差測距(ToF)鏡頭，大力往AR/VR、景深攝影應用邁進外，據了解，供應鏈也傳出，原搭配在iPhone 11的五Ｗ白色充電豆腐頭，確定將走入歷史，新款iPhone將全面搭配18W PD充電器，凸顯高瓦數的快充商機，已是未來的潮流趨勢，下一世代的蘋果快充商機，也將跟著受矚目。
十八Ｗ快充明年將成標配
儘管iPhone 11全系列機型都已支持USB PD快速充電功能，並且最大功率也都達到二二Ｗ以上，但蘋果僅在iPhone 11 Pro及iPhone 11 Pro Max這二款高端機型配備18W PD充電器與USB-C to Lightning快充線，入門基礎款的iPhone 11，雖然支持USB PD快速充電功能，但配備的仍是五Ｗ的充電頭，為市面上唯一一款沒有隨附快充的旗艦手機，實測iPhone 11要完全充飽電需耗時三小時四五分鐘，充電過慢成了iPhone 11熱銷後的最大敗筆。
在新一代手機上，改善手機快充已成了蘋果不得不正視的問題，畢竟，安卓陣營近年急攻快充商機，不僅是十八Ｗ、二○Ｗ快充頭早是標配，就連四○Ｗ、五○Ｗ、六五Ｗ的快充頭手機，也發展迅速，安卓陣營針對手機電池快充發展得風生水起，確實讓蘋果流失了些許的市占，隨著５Ｇ全系列商品即將問世，快充已成為消費者購買手機的一大考量，蘋果也不得不讓五Ｗ充電頭走入歷史。
終於，在市場期盼了多年後，據悉，供應鏈已被通知，蘋果五Ｗ充電頭將出貨至今年底，明年起將正式走入歷史，也正式宣告蘋果將正式跟上快充腳步。
成本考量 GaN快充還要等
惟就安全及穩定性的考量來看，業者指出，雖然第三方快充設備已遍地開花，尤其小米日前推出Type-C 65W GaN(氮化鎵)快充插頭，加上非蘋手機陣營搭載65W GaN快充產品動作積極，包括聯想、Anker、倍思等品牌業者也先後推出相關產品，但預料蘋果對於快充產品的採用，仍將會是漸進式發展策略，十八Ｗ可望先成為標配，但距離蘋果推出GaN快充，恐怕仍需要些時日。
蘋果在快充市場發展牛步，成本其實是最大考量。雖然GaN快充有著許多優勢，但從製造端來看，規模經濟仍不夠，導致產品價格仍偏高，是消費性電子產品仍未大量採用的主因，加上消費者仍有擔憂，GaN快充生產技術是否已成熟到不會傷害手機電池、甚至安全性問題是否已全面排除，都是GaN快充仍未全面普及的原因。
不過，長期來看，由於GaN的材料特性能提供更高的能量轉換效率，降低了功耗，減少了充電時的發熱問題，這是GaN快充能相對傳統快充勝出的第一關鍵；再者，GaN充電器擁有更大的功率密度，能夠實現更快的充電速度，且GaN充電器功率元件的開關頻率顯著高於傳統快充中的矽功率元件，因此充電器產品體積可以更小、攜帶更為方便，這些優勢都讓消費電子大廠躍躍欲試採用。
一般預料，隨著５Ｇ商用到來，手機續航、充電都面臨新的挑戰，加上筆電更改充電設計，都會加速GaN快充應用在手機和筆電等消費性電子設備配件市場，未來市場滲透率有望持續提升。
GaN是第三代寬能隙半導體材料的一環，與SiC(碳化矽)被視為是下世代功率半導體應用的明日之星，其中，GaN的技術在ＬＥＤ領域已廣為應用，相較於SiC可以更快商品化及量產，而GaN的應用場景，除了消費性電子產品的快充外，工業、車載、伺服器等價格較不敏感的快充市場，也正在加速驗證發展中。
國內產業鏈逐漸布建到位
除了快充外，包括５Ｇ射頻通訊、功率元件等領域，也都有GaN的一席之地，在消費電子產品快充市場，國內廠家雖在成本及終端消費價格敏感限制下都還沒有正式切入，但在利基領域包括工業、車載、乃至於功率元件，不少國內廠家已磨刀霍霍，上、中、下游產業鏈逐漸成形，儘管短期業績貢獻度仍低，但卻是中長線值得特別留意的新興半導體族群。
事實上，國內在氮化鎵功率元件領域發展研發極早，漢磊(3707)旗下的嘉晶(3016)、漢磊科分工GaN on Si磊晶及晶圓代工製造已長達八年，目前已到與客戶進行開發並驗證階段，明年包括在車載及伺服器電源系統領域訂單將開始發酵，營運也將邁入新階段。
另外一組陣容堅強的氮化鎵發展團隊，非晶電(2448)及環宇ＫＹ(4991)莫屬。晶電為國內三五族化合物半導體技術發展龍頭，早在二○一五年就與德國Allos取得GaN on Si的磊晶技術授權，去年旗下晶成半導體再與美國５Ｇ、射頻元件晶圓代工大廠環宇ＫＹ結盟，合力推進氮化鎵應用市場，今年下半年可望量產，月產約二千顆射頻晶片。
另外，晶電去年第四季成立的晶凌半導體，則將負責供應GaN Power產品銷售與設計，並由晶電董事長李秉傑一手技術指導，和晶成半導體的磊晶及晶圓代工製造一條龍，將是晶電繼Mini LED之後的另一重要轉型利器。
而繼意法半導體今年初宣布與台積電(2330)結盟、將合力導入氮化鎵製程後，包括環球晶(6488)、合晶(6182)等傳統矽晶圓廠也先後宣布，將跨入GaN及SiC兩大寬能隙半導體材料的晶圓製造，國內龍頭大廠先後宣示跨入研發，第三代半導體材料產業鏈也逐漸就定位，儘管短期對龍頭大廠的營運貢獻極低，但也正告示著新一代半導體材料發展將在可預見的未來大放異彩。
