• 車用半導體MOSFET, 急先鋒
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作者:馮欣仁     文章出處:先探雜誌   2058期      出刊區間:2019/09/27~2019/10/03

近兩年全球汽車產業不景氣,

但各大車廠依然積極往電動車與自動駕駛車發展,

而背後需要各式的功率元件、影像感測、毫米波雷達等車用半導體,

潛在的商機相當可觀。雖然國內在車用半導體領域起步較晚,

但相關業者仍努力通過各項車規認證,

並與國際車用IDM大廠積極合作,成為供應鏈之一員。
受到美中貿易戰干擾,全球車市仍未走出寒冬,不少車廠都開始撙節開支,甚至停工減產;衝擊到車用電子、車用半導體等汽車零組件產業鏈營運。不過日前剛閉幕的法蘭克福車展,賓士、福斯、BMW、保時捷等品牌都不約而同發表電動車,主要是因自明年起歐盟九五%汽車二氧化碳排放量必須減少到九五克,二○二一年所有新車都須符合,此一嚴苛法規驅使各家車廠無不積極投入電動車的開發。全球最大車廠福斯汽車推出首款平價電動車ID3,希望能夠搶攻電動車市占率,不讓Tesla Model 3專美於前。鎖定金字塔頂端客層的保時捷,也發表首款電動車超跑Taycan,不論是性能或續航力幾乎凌駕競爭對手Tesla;同時宣布在三年內投入六○億歐元發展電動車。

儘管全球車市依然疲弱不振,但投資界看好電動車未來的成長潛力。尤其,歐洲市場可望成為中國與美國之外另一新興市場。就各國對於電動車推進時程,根據IEA統計,預估二○二五年全球新掛牌電動車可望突破二五○○萬輛,屆時全球新車每四輛就有一輛電動車。車用電子和電動車滲透率長期穩定提升趨勢,有助帶動相關零件及供應鏈表現。除了電動車之外,汽車自動化比例愈高,則需要仰賴更多電子元件協助,依據車用半導體大廠ON Semi指出當自動駕駛車從Level 2升到Level 4時,駕駛輔助系統配備的各種IC半導體感測器數量,將達到四○個以上;至於電動汽車所搭載的各種電子元件成本將高達五八○美元,電源IC年複合成長率將達到四二%。



國際大廠主導中高壓MOSFET



雖然目前看來電動車或自動駕駛車的滲透率並不高,但就長期趨勢而言,只是時間早晚問題。從投資角度來看,或許當前不少供應鏈股價在相對低檔位置,若能逢低布局,等待時機成熟,相信股價就會有所反應。因應電動車快速成長,將帶動車用半導體中的功率半導體或元件需求大增。基本上,功率半導體大致可分為功率離散元件(Power Discrete)與功率積體電路(Power IC)二大類,而功率離散元件產品包括金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、二極體(Diodes)、絕緣柵雙極電晶體(IGBT);其中,MOSFET占功率半導體比重超過五成。

根據全球功率半導體龍頭英飛凌統計,傳統汽車功率半導體成本約為七一美元,平均每輛新車配備十八顆MOSFET元件,若是純電動車(BEV)和油電複合動力車(HEV),分別為四五五、三八七美元,MOSFET用量約為二五○顆;不論是成本或是元件使用量均倍數增長。目前全球中高規格MOSFET廠商以歐、美、日的功率半導體IDM廠所主導,包括Infineon(IFX)、On Semi(ON)、Vishay(VISH)、Diodes(DIOD)、STMicroelectronics(STM)、Renesas(6723.JP)、三菱電機(6503.JP)、Rohm(6963.JP)等。

有鑑於矽材料的發展已接近其物理極限,因此英飛凌也積極投入新世代寬能隙(Wide Band-gap)材料如碳化矽(Silicon Carbide;簡稱SiC)、氮化鎵(Gallium Nitride;簡稱GaN)。英飛凌自一九九二年即跨足SiC技術開發,以溝槽式(Trench)技術突破了平面式SiC製程的瓶頸,在二○一六年發表以CoolSiC為名的MOSFET系列產品並於一七年正式上市,可提供高性能、高可靠度、高功率密度,且具成本效益的電源解決方案;該系列產品將以太陽能、電動車充電系統與工業級電源供應為主要的應用領域。

與傳統矽(Si)材料IGBT和MOSFET的開關元件相比,CoolSiC MOSFET提供了在一二○○V的開關中具有較低的閘極電荷與電容、反向並聯二極體無反向恢復損耗、較低切換損耗等。韓國現代汽車已宣布未來新世代電動車,將採用英飛凌CoolSiC系列產品。此外,英飛凌為了研發與生產SiC產品,除了與Cree簽署了碳化矽晶圓的供應合約之外,去年更收購位於德國德勒斯登的新創公司Siltectra,該公司開發一種創新的冷切割技術(Cold Split),可有效處理晶體材料,並可大幅減少材料損耗。



台半下半年獲利可望好轉



目前國內與功率半導體相關的廠商,從上游磊晶的嘉晶(3016)、漢磊(3707);晶圓代工台積電(2330)、世界(5347)、聯電(2303)、茂矽(2342);晶圓薄化昇陽半導體(8028);下游MOSFET廠商為大中(6435)、尼克森(3317)、富鼎(8261)、杰力(5299);二極體則為強茂(2481)、台半(5425)、德微(3675)、敦南(5305);封測廠捷敏KY(6525);導線架廠則有順德(2351)與界霖(5285);IGBT散熱模組健策(3653)與艾姆勒(2241)等。

近期車用半導體庫存去化逐漸改善,八吋晶圓代工廠之稼動率也有所拉升,雖然MOSFET不像去年有漲價效應,但因下游代工產能吃緊,使得MOSFET廠商下半年營運不看淡。不過,國內MOSFET廠商在車用比重並不高,主要是以大中有少量出貨給電動機車。二極體廠台半(5425)近來也積極搶攻車用MOSFET,已經攻入車用OEM零組件大廠如Denso、BOSCH及Continental等,目前車用MOSFET產品主要以低壓四○∼六○V為主。此外,台半去年以七一○萬美元收購美商安森美的瞬態電壓抑制器(TVS)系列產品,並得以使用該產品的全球客戶群、服務客戶之必要存貨,以及Fairchild品牌三○個月之商標授權。不過,今年上半年台半受到全球車市不景氣與半導體庫存影響,獲利較去年同期衰退達三成之多。在庫存逐步去化以及旺季來臨,第三季營收可望創歷年同期新高,毛利率與獲利有機會優於前二季。近期股價在低檔震盪整理,外資法人也出現買盤回補,可望激勵股價往年線附近邁進。



捷敏今年EPS六元起跳



捷敏為全球前三大專業功率半導體封測廠,主要客戶集中在分離式元件、IC設計以及整合元件製造大廠(IDM),提供高、低電壓功率MOSFET、二極體、IGBT及電源轉換或電源管理IC封測服務,產品主要應用在消費性電子、工業、資訊、車用電子與網路通訊等五大領域。值得一提的是,捷敏與全球智慧功率模組(IPM)龍頭日本三菱電機關係密切,雙方於合肥成立合資公司,主攻高電壓產品,有利於切入車用、工業等領域。目前捷敏月產能約四億顆封測品,其中九成產能在上海廠,合肥廠土地是上海廠的三.五倍,未來規劃產能逐步轉移到合肥廠。

上半年因美中貿易戰影響,造成獲利較去年同期小幅衰退,隨著第三季進入傳統旺季,促使七、八月營收連續二個月創下單月歷史新高,估計第三季業績上看九.三億元,有機會改寫單季新高,加上產品組合優化,法人估今年EPS至少六元起跳,目前本益比約十一.五倍。相較之下,中國最大MOSFET封測廠長電科技(600584.SH)近期股價創下今年新高,最高來到二○.四八人民幣,累計今年以來股價漲幅高達一四三%;但長電上半年仍虧損,反觀,捷敏不論是在毛利率或獲利等基本面明顯優於長電,但股價漲幅(十一.六%)明顯落後長電,具備比價上漲之空間。就技術面,目前捷敏股價在年線附近橫向整理,近期外資連續小幅買超,且日、周KD形成交叉向上,有利多方攻勢,後續待量能放大,將挑戰前高七○.三元。

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